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BALLUFF電感式傳感器的作用范圍數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量從511 byte 到8 Kbytes.由兩種不同類(lèi)型的編碼塊可供選擇:EEPROM – 類(lèi)型: 511, 1023 或者2047 bytes .FRAM – 類(lèi)型: 2k 和8 k Byte額定參數(shù)：500.000次編寫(xiě)循環(huán)? 在室溫下(可達(dá)30° C): 1.000.000次編寫(xiě)循環(huán)
更新時(shí)間：2025-05-25
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廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
BALLUFF電感式傳感器的作用范圍
電磁感應(yīng)把被測(cè)量如位移等，轉(zhuǎn)換為電感量變化的一種裝置。按照轉(zhuǎn)換方式的不同，可分為自感式（包括可變磁阻式與渦流式）和互感式（差動(dòng)變壓器式）兩種 。
變磁阻式傳感器
當(dāng)一個(gè)線(xiàn)圈中電流i變化時(shí)，該電流產(chǎn)生的磁通Φ也隨之變化，因而在線(xiàn)圈本身產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)e，這種現(xiàn)象稱(chēng)之為自感。產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)稱(chēng)為自感電勢(shì)。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量從511 byte 到8 Kbytes.
由兩種不同類(lèi)型的編碼塊可供選擇:
EEPROM – 類(lèi)型: 511, 1023 或者2047 bytes .
FRAM – 類(lèi)型: 2k 和8 k Byte
額定參數(shù)：500.000次編寫(xiě)循環(huán)
• 在室溫下（可達(dá)30° C）: 1.000.000次編寫(xiě)循環(huán)
• 數(shù)據(jù)保留時(shí)間> 10年
• 澆鑄型編碼塊在較短的持續(xù)時(shí)間內(nèi)使用工作溫度范圍可達(dá)120° C （決定于使
用條件）
• 鎖定功能用于4, 8 和16 bytes
從地址0開(kāi)始
無(wú)限的讀寫(xiě)循環(huán)，可無(wú)限次重復(fù)讀寫(xiě)
• 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)不需電池
• 數(shù)據(jù)保留時(shí)間10年
• 工作溫度范圍可達(dá)70°C
這種編碼塊可以從兩個(gè)感應(yīng)區(qū)域進(jìn)行讀寫(xiě)，這兩個(gè)區(qū)域成90° 角.
有時(shí)在裝配線(xiàn)上，這種編碼塊可節(jié)約翻轉(zhuǎn)空間.
BES 516-300-S308-S4-D
BES 516-300-S315-S4-N
BES 516-300-S318-S4-N
BES 516-300-S321-NEX-S4-D
BES 516-300-S321-S4-D
BES 516-300-S322-E1-S4-D
BES 516-300-S322-S4-D
BES 516-300-S323-S4-D
BES 516-300-S324-S4-D
BES 516-300-S328-S4-D
BES 516-300-S330-D-S4-00,15
BES 516-300-S331-S4-D
BALLUFF電感式傳感器的作用范圍
銷(xiāo)售部